[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200310104760.9 | 申请日： | 2003-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1527402A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 瓜生胜美;楢崎敦司 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是，谋求提高被使用于栅绝缘膜等的热氧化膜的绝缘耐压，提高器件的工作可靠性。半导体器件包括在单晶硅衬底1上的规定的区域形成的氧化硅膜2和在与之邻接的区域对单晶硅衬底1的表面进行热氧化而形成的作为热氧化膜的栅绝缘膜3。在氧化硅膜2与栅绝缘膜3的边界上，形成其表面被氧化了的多晶硅5(或非晶硅)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：在单晶衬底上的第1区域形成的第1绝缘膜和在与上述第1区域邻接的第2区域形成的第2绝缘膜；以及在上述第1绝缘膜与上述第2绝缘膜的边界上形成的、至少其表面部被氧化了的多晶或非晶的规定的膜。
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