[发明专利]半导体激光器器件及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200310104661.0 申请日: 2003-10-30
公开(公告)号: CN1499680A 公开(公告)日: 2004-05-26
发明(设计)人: 森本泰司;宫崎启介;辰巳正毅;和田一彦;上田祯亮 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 李家麟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种在单一基片上具有多个激光器部分(102,103)的半导体激光器器件(100),其中每个部分振荡一种不同波长的激光,多个激光器部分(102,103)分别含有不同类型的掺杂剂。同时提供制作半导体激光器器件(100)的方法,在单一基片上形成多个激光器部分(102,103),每个部分振荡一种不同波长的激光,一开始以一种晶体生长方法形成一个激光器部分,而接着以一种不同的晶体生长方法形成另一个激光器部分。
搜索关键词: 半导体激光器 器件 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种半导体激光器器件,其特征在于,在单个基片上具有多个激光器部分,每个部分振荡一种不同波长的激光,其中所述多个激光器部分分别含有不同类型的掺杂剂。
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