[发明专利]非易失半导体存储装置无效
| 申请号： | 200310104489.9 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1499637A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀一;鹿仓文子;森真也;山田顺治;山田裕;谷口敏光 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失半导体存储装置，谋求缩短掩模ROM的TAT，同时谋求高速化和高集成化。在应用三层金属工艺的掩模ROM中，根据有无设在第三绝缘层(25)上的第三接触孔(TC)来切换是否将存储晶体管(MT1)连接在位线(BL)上，进行程序设计，特别是具有设在各绝缘层(18、22、25)的接触孔(FC2、SC、TC)及分别埋入这些接触孔的W塞(20、23、26)上下方向对准堆栈的结构，即具有栈式接触结构(StackedContact Structure)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种非易失半导体存储装置，其特征在于，包括：存储晶体管；在该存储晶体管上交替层积的绝缘层及金属层；设在各所述绝缘层上的接触孔；埋入该接触孔、用于电连接上下方向邻接的金属层的金属塞；由最上层的金属层构成的位线，分别设于所述绝缘层上的接触孔上下方向对位形成，且根据设于所述各绝缘层中某一绝缘层的接触孔及金属塞的有无，切换所述存储晶体管是否连接在所述位线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
