[发明专利]用于形成具有凹状微透镜的图象传感器的方法有效
| 申请号： | 200310104366.5 | 申请日： | 2003-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1505163A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 山本克已 | 申请（专利权）人： | 华微半导体（上海）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/00;G02B5/20;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成具有凹状微透镜的图象传感器的方法。该方法包括在半导体衬底内形成多个象素，每个象素都含有光敏感元件。接着在象素上方形成基础材料，该基础材料具有第一折射系数。在该基础材料内于每个光敏感元件的上面形成微透镜空腔。该微透镜空腔成凹状。最后，在微透镜空腔内形成填充材料。填充材料具有第二折射系数，其高于该第一折射系数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 凹状微 透镜 图象 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成图象传感器的方法，包括：在半导体衬底内形成多个象素，每个象素都包含光敏感元件；在该多个象素上形成基础材料，该基础材料具有第一折射系数；在该光敏感元件的上面、在该基础材料内形成微透镜空腔，该微透镜空腔成凹状；和在该微透镜空腔内形成填充材料，该填充材料具有第二折射系数，第二折射系数高于第一折射系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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