[发明专利]电子聚合物气体传感器阵列及其制备方法

摘要

本发明提供了一种电子聚合物气体传感器阵列及其制备方法，它是将电子聚合物气体传感器阵列单元组成阵列，并设计制作在同一个芯片上，利用电子聚合物气体传感器阵列单元对NO_x混合气体的交叉敏感特性，为精确得到混合气体中各气体的浓度提供核心敏感元件。电子聚合物气体传感器阵列单元是在MOS管结构基础上改进的结构，即通过在一个栅区开槽的标准MOS管的开槽区12沉积电子聚合物有机敏感膜11。本发明的电子聚合物气体传感器阵列具有灵敏度高、选择性好、精度高等特点，用于测试包括氧化氮、氨气、水汽等多种气体浓度。

主权项

1、一种电子聚合物气体传感器阵列，其特征是由开槽宽度不同的4个电子聚合物气体传感器阵列单元构成，所述的电子聚合物气体传感器阵列单元结构包括n型Si基片(7)、p型掺杂半导体(8)、SiO2层(9)、Au/Cr电极(10)，它还包括电子聚合物有机敏感膜(11)、开槽区(12)，开槽区(12)位于标准的MOS管的栅区中心位置，电子聚合物有机敏感膜(11)制备在中心槽(12)中，电子聚合物有机敏感膜(11)可以采用对NO2气体敏感的聚苯胺、单酞菁及双酞菁络合物等聚合物材料；所述的单酞菁材料可以是酞菁铅、酞菁铜等材料，双酞菁络合物可以是双酞菁锶、双酞菁钐、双酞菁镨、双酞菁饵等材料；每一个电子聚合物气体传感器阵列单元的源极、漏极均采用工字型结构，栅极采用S型结构，其中第1个电子聚合物气体传感器阵列单元和第2个电子聚合物气体传感器阵列单元共用同一个漏极，第2个电子聚合物气体传感器阵列单元和第3个电子聚合物气体传感器阵列单元共用同一个源极，第3个电子聚合物气体传感器阵列单元和第4个电子聚合物气体传感器阵列单元共用同一个漏极；电子聚合物气体传感器阵列制作在硅基片上，基片可采用n型硅或者高阻硅，形状可是长方形、方形或圆形。