[发明专利]设有冲击电压保护电路的半导体装置无效
| 申请号： | 200310103604.0 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1508928A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 山本文寿;村井保文;古谷启一 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技;协荣产业株式会社 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的设有冲击电压保护电路的半导体装置，是一种设有与信号输入端子34电连接且包括npn晶体管32和npn晶体管33的冲击电压保护电路51的半导体装置，在该半导体装置中，npn晶体管32的基极的最窄区域的宽度与npn晶体管33的基极的最窄区域的宽度不同，通过这种结构，使npn晶体管32比npn晶体管33更容易被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 设有 冲击 电压 保护 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种设有与信号输入端子电连接且包括第一晶体管和第二晶体管的冲击电压保护电路的半导体装置，其特征在于：所述第一晶体管的基极最窄区域的宽度与所述第二晶体管的基极最窄区域的宽度不同，通过这种结构，使所述第一晶体管比所述第二晶体管更容易被击穿。
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