[发明专利]包括金属－绝缘体－金属电容器的集成电路装置和半导体装置有效
| 申请号： | 200310102992.0 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1507045A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吴秉俊;李京泰;郑武京 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供集成电路装置，所述集成电路装置包括集成电路衬底和位于该集成电路衬底上的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的导电的下部电极层。介电层位于该下部电极层上，而该MIM电容器的导电的上部电极层位于该介电层上。第一金属间介电层位于该上部电极层上。该第一金属间介电层包括至少一个延伸至该上部电极层的通孔。第一导电互连层位于该第一金属间介电层的所述至少一个通孔上。第二金属间介电层位于该第一金属间介电层上。该第二金属间介电层包括至少一个延伸至该第一导电互连层并至少部分露出该第一金属间介电层的所述至少一个通孔的至少一个通孔。第二导电互连层被提供在电连接该第一导电互连层的该第二金属间介电层的至少一个通孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 金属 绝缘体 电容器 集成电路 装置 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，包括：集成电路衬底；金属-绝缘体-金属电容器的导电的下部电极层，位于该集成电路衬底上；介电层，位于该下部电极层上；金属-绝缘体-金属电容器的导电的上部电极层，位于该介电层上；第一金属间介电层，位于该上部电极层上，该第一金属间介电层包括至少一个延伸至该上部电极层的通孔；第一导电互连层，位于该第一金属间介电层的所述至少一个通孔上；第二金属间介电层，位于该第一金属间介电层上，该第二金属间介电层包括至少一个通孔，所述至少一个通孔延伸至该第一导电互连层并至少部分露出该第一金属间介电层的所述至少一个通孔；以及第二导电互连层，位于电连接该第一导电互连层的该第二金属间介电层的所述至少一个通孔上。
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