[发明专利]操作存储胞以及元件的方法有效
申请号: | 200310101765.6 | 申请日: | 2003-10-23 |
公开(公告)号: | CN1610099A | 公开(公告)日: | 2005-04-27 |
发明(设计)人: | 叶致锴;陈宏岳;蔡文哲;卢道政 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L21/8246;G11C7/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是关于一种操作存储胞以及元件的方法,该操作非挥发性存储元件的方法,其中的非挥发性存储胞包括一字元线、一第一位元线以及一第二位元线,而操作该种存储胞的方法是程序化存储胞,包含供应一高正偏压至第一位元线、供应一接地偏压至第二位元线以及供应一高负偏压至字元线,其中带正电荷的电洞经由介电层穿隧至捕捉层中。本发明特殊的操作存储胞以及元件的方法,可以降低耗电、降低漏电问题,并且可以简化制程。 | ||
搜索关键词: | 操作 存储 以及 元件 方法 | ||
【主权项】:
1、一种操作非挥发性存储胞的方法,其中该非挥发性存储胞包括一字元线、一第一位元线以及一第二位元线,其特征在于该方法包括以下步骤:程序化该存储胞,包括:供应一高正偏压至该第一位元线;供应一接地偏压至该第二位元线;以及供应一高负偏压至该字元线,其中,该存储胞包括一控制闸极、一源极区、一汲极区、一通道区定义于该源极区与该汲极区之间、一捕捉层被提供于该通道区上以及一介电层被提供于该捕捉层与该通道区之间,其中该控制闸极对应于该字元线、该源极区与该汲极区其中之一对应于该第一位元线以及该源极区与该汲极区其中的另一对应于该第二位元线,而且其中带正电荷的电洞经由该介电层穿隧至该捕捉层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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