[发明专利]非易失性半导体存储器无效
| 申请号： | 200310101036.0 | 申请日： | 1999-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1529318A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 作井康司;宫本顺一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 存储单元阵列，具有由1个存储单元和夹着其的2个选择晶体管构成的单元。在1个区上，由连接在1条控制栅线CGL上的存储单元构成1页。在位线BLi上，连接具有闩锁功能的读出放大器。首先，将1页份的存储单元的数据读出到读出放大器，在读出放大器中改写数据，在进行页消除之后，将读出放大器的数据编程在1页份的存储单元上。通过在读出放大器中改写数据，就可以进行页单位或者字节单位的数据改写。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，包括：存储单元阵列，由包含存储单元(MC)的存储单元组构成；位线(10b、BL)，被连接在上述存储单元组上；读出放大器(13、S/A)，被连接在上述位线上具有闩锁功能；控制电路(17)，当对连接在所选控制栅线上的1页份的存储单元s中的所选存储单元s进行数据的变更的情况下，将上述1页份的存储单元s的数据读出到上述读出放大器中，在上述读出放大器中对在上述1页份的数据中与上述所选选择单元s对应的数据进行数据改写，消除上述1页份的存储单元s的数据，将上述读出放大器的数据编程在1页份的存储单元s中。
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