[发明专利]内连线错误的改善图案有效
| 申请号： | 200310100539.6 | 申请日： | 2003-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1574280A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 姚志翔;万文恺;黄泰钧;夏劲秋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种应用于半导体集成电路制成中内连线错误的改善图案。此内连线错误的改善图案是应用于金属层/介电层/金属层的结构，在其中一金属层的其它区域加上辅助图案，利用这些辅助物所造成的热应力梯度来集中金属层中的空缺，以防止用以连接两金属层的中介插塞底部产生孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 连线 错误 改善 图案 | ||
【主权项】：
1.一种内连线错误的改善图案，其特征在于：该内连线错误的改善图案至少包含：一第一金属层；一第二金属层；一介电层，位于该第一金属层与该第二金属层之间；一第一中介插塞，位于该介电层之中，该第一中介插塞的一端与该第一金属层连接，且该第一中介插塞的另一端与该第二金属层连接；以及至少一辅助图案，连接于该第一金属层，用以分散该第一金属层的空缺，以防止该第一金属层的空缺聚集于该第一中介插塞的底部而形成孔洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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