[发明专利]低温度系数和低电源电压系数的参考电流源

摘要

本发明涉及一种低温度系数和低电源电压系数的参考电流源，属电源技术领域。该电源中的启动电路产生一个低电压，使恒电流产生电路工作。启动电路包括：用于产生镜像电流的PMOS管，用于构成电流镜的两个NMOS管，一个用于启动恒电流产生电路NMOS管，，用于控制NMOS管的开启和关断的电阻。恒电流产生电路包括：用于构成电流镜的二个PMOS管，用于阻止电路中寄生振荡的电容，用于产生两个发射结电压PNP双极晶体管，用于对电压降进行差分放大的运算放大器。本参考电流源，通过对片上电阻的温度系数进行补偿实现输出电流的温度稳定，并得到非常低的温度系数；不需要外接元器件和外接信号，结构简单，占用的面积小，消耗的功率低。

主权项

1、一种低温度系数和低电源电压系数的参考电流源，其特征在于该参考电流源包括一个启动电路和一个恒电流产生电路，其中启动电路产生一个低电压，使恒电流产生电路工作，其中的启动电路包括：(1)一个PMOS管(M3)，用于产生镜像电流，其源极与外接电源相接，栅极同时与NMOS管(Ms)的漏极和恒电流产生电路的输出端相连，漏极与NMOS管(M5)的漏极和栅极相连；(2)两个NMOS管(M4和M5)，用于构成电流镜，以产生二个电流，两个NMOS管(M4和M5)的源极接地，其栅极相互联接，并且联接到NMOS管(M5)的漏极，NMOS管(M4)的漏极联接到电阻Rs的一端；(3)一个NMOS管(Ms)，用于启动恒电流产生电路，其栅极同时与电阻Rs的一端和NMOS管(M4)的漏极相接，其源极接地；(4)电阻Rs，用于控制NMOS管(Ms)的开启和关断，其一端与外接电源相连；其中的恒电流产生电路包括：(5)二个PMOS管(M1和M2)，用于构成电流镜，以产生二个电流(I1、I2)；二个PMOS管的源极与外接电源连接，其栅极互联，并且连到运算放大器(O1)的输出端；(6)电容(C0)，用于阻止电路中寄生振荡，电容的一端与PMOS管(M1)的漏极相联，另一端同时与二个PMOS管的栅极和运算放大器(O1)的输出端联接；(7)PNP双极晶体管(Q1和Q2)，用于产生两个发射结电压(VBE1、VBE2)，其中PNP双极晶体管Q1的收集极与基极短路，其发射极与上述PMOS管(M1)的漏极相接，同时与运算放大器(O1)的反向端相接，PNP双极晶体管Q2的发射极通过电阻(R0)与PMOS(M2)的漏极相接，同时与运算放大器(O1)的同向端相接；(8)运算放大器(O1)，用于对V1和V2进行差分放大，其中V1是PNP双极晶体管(Q1)的发射结电压降，V2是PNP双极晶体管(Q2)发射结电压降与电阻(R0)上的电压降之和；(9)电阻(R1、R2)，用于对电路进行电阻补偿，电阻(R1)的一端接地，另一端接运算放大器(O1)的反向端，电阻(R2)的一端接地，另一端接运算放大器(O1)的同向端。