[其他]半导体集成电路在审
| 申请号： | 101986000000522 | 申请日： | 1986-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1003149B | 公开（公告）日： | 1989-01-25 |
| 发明（设计）人： | 西井雅晴;栗原一夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 马连富;许新根 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 岛区１６上所形成的双极晶体管的ｈＦＥ值由发射极区２０和第１基极区１８的杂质浓度与基极宽度Ｂ所决定。因此用同一制造工艺扩散第１基极区１８及发射极区２０时，各晶体管的ｈＦＥ值大致相等。本发明为调整晶体管的ｈＦＥ值设置了第２基极区２３。部分第２基极区２３与发射极区２０相重叠并做得比第１基极区１８要深。这样，通过第２基极区２３使基极宽度Ｂ′增大，可使ｈＦＥ值变小。同时通过选择发射极区２０与第２基极区２３的重叠量使ｈＦＥ的值进行变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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