[其他]具有控制电极的半导体器件在审
| 申请号： | 101985000001390 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85101390B | 公开（公告）日： | 1988-02-17 |
| 发明（设计）人： | 八尾勉;长野隆洋;及川三郎;佐藤行正;木村新;福井宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘晖;赵越 |
| 地址： | 日本东京千代*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极，基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端。加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 控制 电极 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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