[发明专利]垂直磁记录介质以及磁存储装置无效

专利信息
申请号: 03827149.4 申请日: 2003-09-30
公开(公告)号: CN1839429A 公开(公告)日: 2006-09-27
发明(设计)人: 杉本利夫;稻村良作;涡卷拓也;前田麻贵;下田一正;大岛武典;田中厚志 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/667 分类号: G11B5/667;G11B5/738;G11B5/65
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫;王玉双
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成,即,在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层,磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子,该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部,使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分,从而抑制磁通的扩散。另外,展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。
搜索关键词: 垂直 记录 介质 以及 存储 装置
【主权项】:
1.一种垂直磁记录介质,具有:软磁性内层;设在上述软磁性内层上的记录层,其特征在于,在上述软磁性内层与记录层之间具有磁通狭缝层,上述磁通狭缝层是具有在面内方向大致磁性孤立化了的大致柱状结构的软磁性层。
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