[发明专利]蚀刻构图的硅氧烷层的方法无效
| 申请号： | 03826965.1 | 申请日： | 2003-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1820230A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | G·贝克尔;G·加德纳;B·哈克尼斯 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/075 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘明海 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 改写半导体材料的方法，该方法包括：(i)施加可光构图的硅氧烷组合物到基底表面上，形成膜；(ii)将该膜的一部分曝光于辐射线下，产生未曝光区域覆盖至少一部分表面和曝光区域覆盖剩余表面的部分曝光的膜；(iii)加热部分曝光的膜，其时间使得曝光区域基本上不溶于显影溶剂中和未曝光区域可溶于显影溶剂中；(iv)采用显影溶剂除去加热膜的未曝光区域，形成构图膜；(v)加热该构图膜，其时间足以形成固化的硅氧烷层；和(vi)通过暴露于含有机溶剂和碱的蚀刻溶液中，除去所有或一部分固化的硅氧烷层。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 构图 硅氧烷层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：(i)施加可光构图的硅氧烷组合物到基底表面上；(ii)将该膜的一部分曝光于辐射线下，产生未曝光区域覆盖至少一部分表面和曝光区域覆盖剩余表面的部分曝光的膜；(iii)加热该部分曝光的膜，其时间使得曝光区域基本上不溶于显影溶剂中和未曝光区域可溶于显影溶剂中；(iv)采用显影溶剂除去加热膜的未曝光区域，形成构图膜；(v)加热该构图膜；和(vi)除去所有或一部分步骤(v)的产品。
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