[发明专利]半导体器件以及其制作方法无效
| 申请号: | 03826794.2 | 申请日: | 2003-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN1802748A | 公开(公告)日: | 2006-07-12 |
| 发明(设计)人: | 宇佐美光雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;G06K19/07;G06K19/077 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 由于大量流通,并且回收成本庞大,因此在用完即扔的无线IC芯片中,制造单价的削减作为问题而存在。为了削减制造单价,在为了削减制造单价而单纯地将天线嵌入芯片中的无线IC芯片中,从利用的应用情况、读取的器械的读取精度来看,扩大以往已知的无线IC芯片的搭载天线尺寸,或增大读取装置的输出功率,就可以谋求通信距离的扩大,但却不能谋求对于微小芯片的片上芯片化。在本申请中,由于半导体衬底是导体,因此当从外部向片上天线付与交流磁场时,原理上产生涡流,因此基于作为设计参数可以使用衬底厚度的发现,为了减少或消除由该涡流导致的能量的损失,通过谋求衬底厚度的薄型化,并将电磁波能量活用于本来的半导体电路动作,防止能量的无效吸收,其结果,增大流过片上天线的电流量,从而获得通信距离扩大。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,具有:硅衬底;金制的天线;以及绝缘层;处理从上述天线接收发送的信息,形成在硅衬底表面上的集成电路;其中按上述天线、绝缘层、集成电路的顺序在上述硅衬底表面上层叠;上述半导体衬底的厚度小于等于200微米,天线宽度以及厚度大于等于2.6微米小于等于10微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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