[发明专利]半导体器件以及其制作方法无效

专利信息
申请号: 03826794.2 申请日: 2003-08-28
公开(公告)号: CN1802748A 公开(公告)日: 2006-07-12
发明(设计)人: 宇佐美光雄 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;G06K19/07;G06K19/077
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 由于大量流通,并且回收成本庞大,因此在用完即扔的无线IC芯片中,制造单价的削减作为问题而存在。为了削减制造单价,在为了削减制造单价而单纯地将天线嵌入芯片中的无线IC芯片中,从利用的应用情况、读取的器械的读取精度来看,扩大以往已知的无线IC芯片的搭载天线尺寸,或增大读取装置的输出功率,就可以谋求通信距离的扩大,但却不能谋求对于微小芯片的片上芯片化。在本申请中,由于半导体衬底是导体,因此当从外部向片上天线付与交流磁场时,原理上产生涡流,因此基于作为设计参数可以使用衬底厚度的发现,为了减少或消除由该涡流导致的能量的损失,通过谋求衬底厚度的薄型化,并将电磁波能量活用于本来的半导体电路动作,防止能量的无效吸收,其结果,增大流过片上天线的电流量,从而获得通信距离扩大。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,具有:硅衬底;金制的天线;以及绝缘层;处理从上述天线接收发送的信息,形成在硅衬底表面上的集成电路;其中按上述天线、绝缘层、集成电路的顺序在上述硅衬底表面上层叠;上述半导体衬底的厚度小于等于200微米,天线宽度以及厚度大于等于2.6微米小于等于10微米。
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