[发明专利]LSI插件及LSI元件的试验方法和半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 03825273.2 申请日: 2003-05-20
公开(公告)号: CN1701427A 公开(公告)日: 2005-11-23
发明(设计)人: 丸山茂幸;西野彻;田代一宏 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫;王玉双
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种LSI插件,包括LSI元件和配线基板。LSI元件的多个端子包括第1导电层、和重叠形成在第1导电层上的第2导电层,配线基板的多个端子包括接合在第2导电层的第3导电层和外部连接端子。第1、第2和第3导电层由第2导电层与第3导电层的金属间结合力比第1导电层与第2导电层的金属间结合力强的材料形成。LSI元件的试验使用配线基板的外部连接端子进行。第2导电层和第3导电层通过加压的凝集作用产生金属间结合,在试验中可靠地电接触。试验后将LSI元件的端子从配线基板的端子上剥离,这时将第2导电层转移到第3导电层上,在LSI元件上残留第1导电层。将LSI元件安装在另一个配线基板上。
搜索关键词: lsi 插件 元件 试验 方法 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种LSI插件,其特征在于:包括具有多个端子的至少一个LSI元件、和具有多个端子的配线基板,该LSI元件的多个端子各自包括第1导电层、重叠在该第1导电层上形成的第2导电层,该配线基板的端子各自包括接合在该LSI元件的端子的第2导电层上的第3导电层;该第1导电层、该第2导电层和该第3导电层由该第2导电层与该第3导电层的金属间结合力比该第1导电层与该第2导电层的金属间结合力强的材料所形成,该配线基板还具有通过配线与该配线基板的多个端子连接的多个外部连接端子。
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