[发明专利]半导体器件处理无效
| 申请号： | 03825171.X | 申请日： | 2003-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1695237A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 马凌;A·阿马利;S·基压瓦特;A·默肯达尼;D·何;N·撒帕尔;R·索迪;K·斯普林;D·金策 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于制造具有减小的特征尺寸和改进特性的沟槽类型半导体器件的工艺，包括形成具有设置在半导体管芯表面下面的凹槽中的场氧化物的端子结构，其中在所述半导体管芯中形成了器件的有源元件，并在进行了主要的热氧化步骤之后，形成源区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 处理 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一导电类型沟道接收层的半导体材料的半导体管芯；在所述沟道接收层上形成氧化延缓材料层；在所述沟道接收层的一个区域中的所述沟道接收层中形成沟槽；在所述沟槽周围形成端子凹槽，所述端子凹槽具有半导体材料的露出表面；在每个所述沟槽的侧壁和底部上形成另一层氧化延缓材料；和在所述端子凹槽的露出表面上生长氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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