[发明专利]有内反射器的半导体光电检测器有效
| 申请号: | 03825153.1 | 申请日: | 2003-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN1768433A | 公开(公告)日: | 2006-05-03 |
| 发明(设计)人: | 亨利·A·布劳维尔特;大卫·W·维尔努伊;李浩 | 申请(专利权)人: | 斯邦恩特光子学公司 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0232;G02B6/26 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种光电检测器,包括:有输入面和反射面的半导体基片,它们形成在基片上表面。反射面与基片表面形成锐角并放置在这样的位置,使得传输通过输入面进入基片的光束从反射面内反射到基片上表面。光电检测器激活区形成在基片上表面并放置在这样的位置,使得反射光束入射到激活区。光电检测器可以安装在第二基片上,它可以从第二基片上形成的平面型波导或第二基片上凹槽中安装的光纤中接收光束。 | ||
| 搜索关键词: | 反射 半导体 光电 检测器 | ||
【主权项】:
1.一种光学设备,包括:有基片表面的半导体基片;在基片表面的基片上形成的输入面并与基片表面形成一个角度;在基片表面的基片上形成的反射面并基片表面形成一个锐角,相对于输入面放置反射面,使得传输通过输入面进入基片的至少部分光束是从反射面内反射到基片表面;和在基片表面形成的光电检测器激活区,激活区是在这样的位置,使得从反射面反射的至少部分光束入射到至少部分的激活区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





