[发明专利]Ta溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 03825132.9 | 申请日： | 2003-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1694976A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 小田国博 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/18;B21J1/02;B21J5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及Ta溅射靶的制造方法，使通过熔化铸造形成的锭或坯经过锻造、退火、压延加工等制造溅射靶，其中使锭或坯经过锻造并随后在1373K到1673K温度下经过再结晶退火。通过改善和设计锻造过程和热处理过程，使晶粒直径变得微细和均一，从而得到稳定地生产具有优异特性的Ta溅射靶的方法。 | ||
| 搜索关键词： | ta 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.Ta溅射靶的制造方法，使通过熔化铸造形成的Ta锭或坯经过锻造、退火、压延加工等制造溅射靶，其中使锭或坯经过锻造并随后在1373K到1673K的温度下经过再结晶退火。
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