[发明专利]具有按照反平行磁化取向的反铁磁双层结构的存储层的热辅助记录介质无效
| 申请号： | 03824877.8 | 申请日： | 2003-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1695183A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | H·W·范科斯特伦 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B11/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括存储层的热辅助记录介质，所述存储层包括由具有基本相同组成的反铁磁耦合的第一(SL1)和第二(SL3)层构成的双层结构，其中所述第一和第二层适于具有反平行的磁化取向。由于在冷却期间所述两个层具有反平行的磁化取向，所以子域信息被抑制并且能够以减小的外部场对均匀磁化的域进行写入。这对于便携式应用的功耗具有主要的优点，并且能够使磁场线圈以较高的数据率进行记录。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 按照 平行 磁化 取向 反铁磁 双层 结构 存储 辅助 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种记录介质，包括存储层，用于向所述记录介质热辅助的写入信息，所述存储层包括至少包含两个子层的叠层，其中所述子层是通过非磁性层反铁磁耦合的，并且其中至少在低于写入温度的温度范围内，存储层的整体磁化幅度基本上小于每个子层的磁化幅度，并且所述子层具有在室温周围有利的各向异性和垂直于薄膜平面的磁化取向。
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