[发明专利]采用醇形成金属氧化物的系统和方法有效
| 申请号： | 03824576.0 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1688742A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | B·A·瓦尔茨特拉 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用气相淀积工艺和一种或多种醇与一种或多种含金属前体化合物在底材上、特别是在半导体底材或底材组件上形成金属氧化物层的方法及装置。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 形成 金属 氧化物 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：提供半导体底材或底材组件；提供至少一种式R(OH)r的醇，其中R为有机基团，r为1-3；提供至少一种式M1(NR1)w(NR2R3)z(式I)、式M2R4q(式II)或式II的路易斯碱加合物的含金属前体化合物，其中：M1和M2各自独立为金属；R1、R2、R3和R4各自独立为氢或有机基团；w为0-4；z为1-8；q为1-5；和w、z和q取决于所述金属的氧化态；和采用气相淀积工艺使所述前体化合物在所述半导体底材或底材组件的一个或多个表面上接触，形成金属氧化物层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
