[发明专利]高电介质膜的形成方法无效
| 申请号： | 03824483.7 | 申请日： | 2003-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1689147A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 杉田义博 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/105;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;王玉双 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电介质膜的形成方法，其在由使用胺类有机金属原料的MOCVD法进行的high－K电介质膜的形成时，能够使在膜中残留的碳的量最小化。在露出被处理衬底表面的工艺空间中，供给包含所述胺类有机金属分子的原料气体，在所述被处理衬底表面上化学吸附所述胺类有机金属分子。之后，进行向所述被处理衬底表面供给氢气的工序、及在所述工艺空间中导入氧化气体的工序，由此，在所述被处理衬底表面上形成high－K电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电介质膜的形成方法，其使用胺类有机金属材料，其特征在于，包括：(A)在露出被处理衬底表面的工艺空间中，供给包含所述胺类有机金属分子的原料气体的工序；(B)所述工序(A)之后，从所述工艺空间排除所述原料气体的工序；(C)所述工序(B)之后，将氢气供给到所述被处理衬底表面的工序；(D)所述工序(B)之后，将氧化气体导入到所述工艺空间中的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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