[发明专利]消除镀覆钎料中的空洞的方法有效

申请号：	03824015.7	申请日：	2003-09-30
公开（公告）号：	CN1689150A	公开（公告）日：	2005-10-26
发明（设计）人：	O·费	申请（专利权）人：	飞思卡尔半导体公司
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L21/288
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	蔡胜有
地址：	美国得***	国省代码：	美国;US
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摘要：	提供了镀覆钎料的方法。依照该方法，提供了其上具有籽晶金属化层的芯片。用包含酸和氧化物的溶液对该籽晶金属化层进行微蚀刻(85)，由此形成刻蚀的籽晶金属化层。然后向该刻蚀的籽晶金属化层上电镀(87)凸点下金属化层(UBM)，并向该UBM上电镀(91)无铅的钎料组合物，例如SnCu。此外提供了回流钎料的方法，该方法可与镀覆钎料的方法结合使用。依照这后一个方法，可以对基底进行籽晶金属化层蚀刻(137)随后进行微蚀刻。然后将助焊剂分布到基底(147)上并对钎料进行回流(149)。
搜索关键词：	消除镀覆中的空洞方法
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【主权项】：

1.向芯片上镀覆钎料的方法，该方法包括下列步骤：提供其上具有籽晶金属化层(211)的芯片(201)；使用包含酸和氧化剂的溶液刻蚀(137)该籽晶金属化层(211)，由此形成刻蚀的籽晶金属化层；向该刻蚀的籽晶金属化层上电镀(87)凸点下金属化层(215)(UBM)，该UBM包含铜；和向该UBM上电镀(91)无铅钎料组合物(216)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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