[发明专利]具有电弧处理能力的高峰值功率等离子体脉冲电源无效
| 申请号: | 03823015.1 | 申请日: | 2003-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN1688737A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
| 发明(设计)人: | 戴维·J·克里斯蒂 | 申请(专利权)人: | 先进能源工业公司 |
| 主分类号: | C23C14/00 | 分类号: | C23C14/00;C23C14/32;C25B9/00;C25B11/00;C25B13/00 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
| 地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了一种新的磁控溅射装置,通常包括一个脉冲电源,该脉冲电源能够提供的峰值功率为0.1兆瓦特到数兆瓦特,峰值功率密度大于1kWcm2。该电源有一个脉冲电路,该脉冲电路包括一个储能电容和一个通过开关装置串联的电感,检测到电弧现象时,该开关装置将脉冲电路与等离子体断开,并将电感能量循环回到储能电容。储能电容和串联电感提供对等离子体的阻抗匹配,限制有电弧时电流的上升率和峰值幅度,对到等离子体的电压脉冲进行整形。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 电弧 处理 能力 峰值 功率 等离子体 脉冲 电源 | ||
【主权项】:
1、一种以连续工作模式将阴极材料溅射淀积从而在基板上形成涂层的装置,包括:a)等离子体腔,在该等离子体腔中产生包含离子和电子的等离子体;b)至少一个靶,其被置于该等离子体腔中并包含原子,响应于来自该等离子体的离子的轰击,所述原子可以自该靶被溅射,从而在邻近该等离子体的至少一个基板的表面上淀积薄膜;c)直流脉冲电源,其具有连接到置于该等离子体腔中的所述靶的脉冲电路,从而传递电压脉冲给该靶;以及d)该脉冲电路还包括储能电容,用于通过开关装置将脉冲传递到串联的电感,该开关装置用于将该脉冲电路与该等离子体断开以及在检测到电弧情况时将电感能量循环回到该储能电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进能源工业公司,未经先进能源工业公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03823015.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





