[发明专利]双镶嵌结构中的金属－绝缘体－金属电容结构及制造方法有效
| 申请号： | 03822544.1 | 申请日： | 2003-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1685475A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷;凯斯.洸汉.黄 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及双镶嵌结构中的金属－绝缘体－金属(MIM)电容结构及制造方法。具体来说，本发明提供了一种MIM电容器结构以及制造该结构的方法，使用具有第一图案(216)和第二图案(218)的双镶嵌图案对半导体器件(200)的电介质层(214)构图。第二图案的深度大于第一图案。在第一图案中的电介质层(214)上形成导电层(226)，在第一图案中的导电层上形成一个导电层。电介质层(232)、导电层(234)、电介质层(236)以及导电层(238)被设置在第二图案(218)的导电层(226)上。导电层(234)、电介质层(232)以及导电层(226)形成第一金属－绝缘体－金属电容器。导电层(238)、电介质层(236)以及导电层(234)形成平行于第一MIM电容器的第二MIM电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 中的 金属 绝缘体 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.制造金属-绝缘体-金属电容器的方法，包括：提供一个工件；在该工件上淀积一个层间电介质层；在该层间电介质层中形成第一图案，该第一图案具有在该层间电介质层中的第一深度；在该层间电介质层中形成第二图案，该第二图案在该层间电介质层内具有第二深度，该第二深度大于第一深度；在层间电介质层的所述第一图案上设置第一导电层；在层间电介质层的第二图案上设置第二导电层；在至少所述第二导电层上设置第一电介质层；以及在所述第一电介质层上设置第三导电层，其中，所述第二图案上的第三导电层、第一电介质层和第二导电层形成第一金属-绝缘体-金属电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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