[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03822224.8 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1682359A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 渡边健一;池田雅延;木村孝浩 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/82;H01L27/04;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在用于将元件形成区域和外部进行电连接，附随元件形成区域来形成低介电常数绝缘膜的焊盘形成区域中，形成于焊盘形成区域的低介电常数绝缘膜中的作为通路的Cu膜，与元件形成区域的作为通路的Cu膜相比以高密度地配置，由此，防止内部应力发生时该应力偏向集中在通路中，可以避免由此引起的布线功能的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：在低介电常数绝缘膜中包含布线构造的元件区域；以及焊盘区域，其用于进行电连接所述元件区域和外部，附随所述元件区域而形成所述低介电常数绝缘膜来构成，其中，在所述焊盘区域中形成于所述低介电常数绝缘膜中的第1连接孔的占有密度大于所述元件区域的所述布线构造的任意部位中的第2连接孔的占有密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
