[发明专利]PVD靶和处理PVD靶的方法无效
| 申请号： | 03822025.3 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1681961A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 金在衍 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B44C1/22;B31B1/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;庞立志 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括具有非溅射区域(如侧壁(14))和沿非溅射区域形成粒子捕集特征的PVD靶。在特别的方面，粒子捕集特征可包括形成贮器的弯曲突起(22)型式，并可在弯曲突起上包括微结构。靶可为靶/背板结构(10)的一部分，或可为单体。本发明还包括沿溅射靶的侧壁或沿靶/背板结构的侧壁形成粒子捕集特征的方法。可通过首先沿侧壁形成突起型式形成这种特征。突起可是弯曲的，并随后暴露于粒子以在弯曲突起上形成微结构。靶具有扩展的区域(20和30)和穴(23)。 | ||
| 搜索关键词： | pvd 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理PVD靶非溅射区域的方法，包括：沿非溅射区域形成突起型式；使突起弯曲；和将突起暴露到加压粒子流以在突起上形成微结构。
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