[发明专利]温度补偿电流参考电路无效
| 申请号： | 03821947.6 | 申请日： | 2003-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1703659A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 乔治·奥多内;洛伦佐·贝达里达;毛罗·基诺西 | 申请（专利权）人： | 艾梅尔公司 |
| 主分类号： | G05F1/10 | 分类号： | G05F1/10;G05F3/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种包含一CMOS差动放大器的电流参考电路，该CMOS差动放大器具有包含第一n沟道MOS晶体管的一漏极的第一输出节点及包含第二n沟道MOS晶体管的一漏极的一第二输出节点。第一p沟道MOS晶体管具有耦合至一供应电位的一源极、耦合至第二输出节点的一栅极及一漏极。第一PNP双极晶体管具有经由第一电阻器耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极且耦合至第二n沟道MOS晶体管的栅极的一发射极、及均耦合接地的一集电极和一基极。第二PNP双极晶体管具有经由与第三电阻器串联的第二电阻器耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极的一发射极、及均耦合接地的一集电极和一基极。第一n沟道MOS晶体管的栅极耦合至第二与第三电阻器之间的一共同节点。一第三n沟道MOS晶体管具有耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极的一漏极、经由第四电阻器耦合接地的一源极、及耦合至一参考电压或第二与第三电阻器之间一共同节点的一栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 补偿 电流 参考 电路 | ||
【主权项】：
1、一种电流参考电路，其包含：一CMOS差动放大器，其具有包含第一n沟道MOS晶体管的一漏极的第一输出节点、及包含第二n沟道MOS晶体管的一漏极的第二输出节点；一第一p沟道MOS晶体管，其具有耦合至一供应电位的一源极、耦合至所述第二输出节点的一栅极及一漏极；一第一PNP双极晶体管，其具有经由第一电阻器耦合至所述第一p沟道MOS晶体管的所述漏极并耦合至所述第二n沟道MOS晶体管的一栅极的一发射极、及均耦合接地的一集电极及一基极；一第二PNP双极晶体管，其具有经由与第三电阻器串联的第二电阻器耦合至所述第一p沟道MOS晶体管的所述漏极的一发射极、及均耦合接地的一集电极和一基极；所述第一n沟道MOS晶体管的一栅极耦合至所述第二与第三电阻器之间的一共同节点；一第三n沟道MOS晶体管，其具有耦合至所述第一p沟道MOS晶体管的所述漏极的一漏极、经由第四电阻器耦合接地的一源极及耦合至一参考电压的一栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾梅尔公司，未经艾梅尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03821947.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：眼治疗装置
- 下一篇：利用OTA的二进制数据更新模块执行方法
