[发明专利]电化学处理半导体基片的方法和形成电容器结构的方法

摘要

本发明包括电化学处理半导体基片的方法。本发明包括一种电镀物质的方法。提供一种被限定第一区域(60)及第二区域(70)的基片。第一区域和第二区域可以通过单掩模的方法加以限定，因此，可以认为是彼此相关的自调整的。第一导电材料(50)是在基片第一区域形成的，第二导电材料(42)是在第二区域形成的。将第一和第二导电材料置于一种电解溶液中，同时对第一和第二导电材料提供电流。在将第一和第二导电材料置于电解溶液的过程中，所需物质即被选择性地电镀在第一导电材料上。本发明也包括形成电容器结构的方法。

主权项

1.一种电化学处理半导体基片的方法，包括：在基片上形成一层掩模；此掩模具有由此延伸穿越并从而限定该基片两个区域的通路；此两个区域的第一区域是在通路以下，因此未被掩模覆盖，而第二区域是被掩模覆盖的基片部分；延伸这些通路从掩模至基片第一区域中，随后脱除该掩模；在此半导体基片的第一区域上形成第一导电材料，并在该半导体基片的第二区域上形成第二导电材料，此第二导电材料延伸进入该基片的通路中，使电流流过第一及第二导电材料，同时至少将第一导电材料置于一种电解溶液中；和在电流流过第一及第二导电材料过程中选择性地处理与第二导电材料相关的第一导电材料。