[发明专利]仅含极少残留单体的聚合物水分散体的生产方法及其用途

摘要

本发明涉及一种通过化学后处理降低聚合物水分散体中残余单体的量的方法。聚合物水分散体中的后处理是通过加入氧化还原系统进行的，该氧化还原系统包含a)0.005至5重量％的含有有机过氧化物的氧化剂，和b)0.005到5重量％的含有亚磺酸或其盐的还原剂。此外，该氧化还原系统还可非必要地包含催化量的可处理为数多个价态的多价金属离子。可以在20至100℃的温度范围内以及在2至9的pH值范围内进行后处理。本发明还涉及经本发明后处理的聚合物分散体用于制备粘合剂、涂层、粉末、或建筑化学产品或用于纺织品或纸张的精制。

主权项

1.一种通过化学后处理降低聚合物水分散体中残余单体的量的方法，其中所述后处理是通过在聚合物水分散体中加入氧化还原系统进行的，该氧化还原系统含有：a)基于用于制备该聚合物分散体的全部单体的总重量，0.005至5重量％的至少一种基于有机过氧化物的氧化剂，该有机过氧化物选自以下种类：a1)化学通式如下的过酸酯： R1-CO-O-O-R2， (1a)其中R1和R2各自独立地为取代或未取代的烷基、芳基、环烷基、芳烷基、R3CO或R3OCO，其中R3为未取代或取代的烷基、芳烷基或芳基，和/或a2)化学通式如下的过碳酸酯： R4-O-CO-O-O-R5， (1b)其中R4和R5各自独立地为未取代或取代的烷基、芳基、环烷基、芳烷基、R6CO或R6OCO，其中R6为未取代或取代的烷基、芳烷基或芳基，基团R4、R5和R6本身可以包含过碳酸酯，和/或a3)化学通式如下的过缩酮： R7-O-O-CR9R10-OO-R8， (1c)其中R9和R10各自独立地为氢或烷基，且R7、R8各自独立地为未取代或取代的烷基、芳基、环烷基、芳烷基、R11CO或R11OCO，其中R11 为未取代或取代的烷基、芳烷基或芳基，和b)基于用于制备该聚合物分散体的全部单体的总重量，0.005至5重量％的至少一种还原剂，该还原剂选自由具有如下结构的亚磺酸及其盐组成的组： MO-SO-CR12R13R14 (2)其中M为氢、NH4、单价金属离子或者一种元素周期表第Ia、IIa、IIb、IVa或VIIIb族的二价金属离子等价物，其中R12＝OH、NR15R16，其中R15和R16各自独立地为氢或C1-C6烷基，其中R13＝氢或烷基、烯基、环烷基或芳基，这些基团可以具有1、2或3个各自独立地选自C1-C6烷基、OH、O-C1-C6-烷基、卤素和CF3的取代基，其中R14＝COOM、SO3M、COR15、CONR15R16、COOR15，其中M、R15和R16具有上述含义，或者，如果R13为未取代的或被如上所述取代的芳基，R14也为H，及其盐。