[发明专利]化合物半导体颗粒及其生产工艺无效
| 申请号： | 03821067.3 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1678521A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 小林正和;武田光生 | 申请（专利权）人： | 小林正和;株式会社日本触媒 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;C01B25/08;C01G9/08;C01F17/00;C01B17/42;C01B31/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了：在化合物半导体特有的功能(例如发光度和发光效率)中表现出更优异性能的化合物半导体颗粒；和获得这种半导体颗粒的经济，产率良好，且简便的生产工艺。依照本发明的化合物半导体颗粒，其特征在于包含主体颗粒和金属氧化物，其中该主体颗粒具有小于1μm的颗粒直径并被该金属氧化物覆盖，而且包含具有如下元素的基本元素组合的化合物半导体：选自C，Si，Ge，Sn，Pb，N，P，As，Sb，S，Se和Te的至少一种元素X和不同于元素X的至少一种金属元素M，且其中该金属氧化物是与酰氧基结合的金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 颗粒 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.化合物半导体颗粒的生产工艺，该工艺包括如下步骤：对包含金属羧酸盐，醇，和颗粒的混合物或包含含金属烷氧基化合物，含羧基化合物，和颗粒的混合物进行加热和/或研磨-粉碎，从而用金属氧化物覆盖该颗粒，其中该颗粒包含化合物半导体。
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