[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明的漏极(7)包括：与控制栅极(5)相匹配而形成的、低浓度的浅的低浓度杂质区域(7a)；与侧壁膜(8)相匹配而形成且比低浓度杂质区域(7a)高浓度的深的高浓度杂质区域(7b)，由此，利用低浓度杂质区域(7a)来改善短沟道效果并提高编程效率，并且，在高浓度杂质区域(7b)中设置漏极接触孔形成部位(70)，以降低漏极(7)中的接触电阻。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：半导体基板；在上述半导体基板上面形成的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上面构图形成的栅电极；在上述栅电极的两侧上的上述半导体基板的表层上形成的一对扩散层；在上述栅电极的侧面上形成的一对侧壁膜，在上述一对扩散层中，一个扩散层与上述栅电极相匹配而形成，同时，另一个扩散层具有以比上述一个扩散层低的杂质浓度来与上述栅电极相匹配而形成的低浓度杂质区域、和以比上述低浓度杂质区域高的杂质浓度来与上述侧壁膜相匹配而形成的高浓度杂质区域。