[发明专利]有中间检查薄膜层的改进的光学掩模无效
申请号: | 03820165.8 | 申请日: | 2003-07-08 |
公开(公告)号: | CN1678962A | 公开(公告)日: | 2005-10-05 |
发明(设计)人: | 马修·拉斯特;迈克尔·坎格米 | 申请(专利权)人: | 美商福昌公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03C5/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明一般涉及改进的光刻中使用的光学掩模,用于制作集成电路及其他半导体装置,更准确地说,是涉及检测这种光学掩模中在处理后的缺陷。具体说,本发明针对一种在其内淀积一层或多层中间层的空白光学掩模,中间层的材料,由在检查设备波长上比在曝光设备波长上有更高消光系数的材料构成。中间层材料要能吸收足够量的光,以满足检查设备的光学要求,同时透过足够量的光,以满足曝光设备的光学要求。结果是,该光学掩模改进了光学掩模的检查结果,又不牺牲半导体写入过程中的透射性质。 | ||
搜索关键词: | 中间 检查 薄膜 改进 光学 | ||
【主权项】:
1.一种空白光学掩模,包括:形成所述空白光学掩模顶层的光刻胶层;形成所述空白光学掩模底层的基本透明层;在所述空白光学掩模的所述顶层和底层之间的不透明层;在所述空白光学掩模的所述不透明层和底层之间的相移层;和在所述不透明层和基本透明层之间,至少一层中间层,其中所述至少一层中间层,由在检查设备波长上比在曝光设备波长上有更高消光系数的材料构成。
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