[发明专利]于基板上产生结构的方法有效
| 申请号： | 03819856.8 | 申请日： | 2003-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1675773A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | C·赫祖姆 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一种用于在一基板(100)上产生一结构(132)的方法中，首先，一层顺序：一第一氧化层、一第一氮化层、以及一第二氧化层，乃会被设置于该基板(100)上。然后，该第二氧化层的一部分以及该第一氮化层的一部分乃会被移除；以便暴露出该第一氧化层的一部分。接着，位在该第一氧化层上方以及该第二氧化层(112)下方的该第一氮化层的一部分乃会被移除，以便暴露出该结构(132)的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 基板上 产生 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在一基板(100)上产生一结构(132)的方法，所述方法包括下列步骤：(a)将包括一第一氧化层(108)、一第一氮化层(110)、以及一第二氧化层(112)的一层顺序(106)施加于该基板(100)上；(b)移除该第二氧化层(112)的一部分以及该第一氮化层(110)的一部分，以暴露出该第一氧化层(108)的一部分(114)；以及(c)移除该第一氮化层(110)位在该第一氧化层(108)上方以及该第二氧化层(112)下方的一部分，以决定该结构(132)的区域(X)。
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