[发明专利]用于中间层电介质的光敏组合物和形成图案化中间层电介质的方法无效
| 申请号： | 03819630.1 | 申请日： | 2003-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1675590A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 长原达郎;松尾英树 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(日本)株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/075 | 分类号： | G03F7/075;G03F7/004;C08G77/54;C08G77/62;H01B3/30 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由含光酸产生剂的聚倍半硅氮烷光敏组合物形成的图案的尺寸变化得到防止。本发明所述光敏组合物的特征在于它包括：一种改性聚倍半硅氮烷，重均分子量为500－200,000，含有由通式－[SiR1(NR2)1.5]－表示的基本结构单元，其中，R1各自独立地表示含1－3个碳原子的烷基或取代或未取代的苯基，R2各自独立地表示氢、含1－3个碳原子的烷基或取代或未取代的苯基，最多达50mol％所述基本结构单元已被一种不同于该硅氮烷键的键合基团所替代；一种光酸产生剂；和一种碱性物质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 中间层 电介质 光敏 组合 形成 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于中间层绝缘薄膜的光敏组合物，其特征在于包含：一种重均分子量为500-200,000、含有由通式-[SiR1(NR2)1.5]-表示的基本结构单元的改性聚倍半硅氮烷，其中，R1各自独立地表示含1-3个碳原子的烷基或取代或未取代的苯基，R2各自独立地表示氢、含1-3个碳原子的烷基或取代或未取代的苯基，最多达50mol％的所述基本结构单元已被一种不同于该硅氮烷键的键合基团所替代；一种光酸产生剂；和一种碱性物质。
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