[发明专利]电极同时响应于多频的等离子体处理器有效
| 申请号： | 03818710.8 | 申请日： | 2003-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1675737A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | V·瓦荷迪;P·罗文哈德特;B·艾林伯;A·库西;A·菲谢尔 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在加工工件的真空室内，等离子体以等离子体约束容积为界，包括同时响应于第一和第二RF频率功率的第一电极与DC接地第二电极之间的区域。DC接地延伸部分基本上直线对准第一电极。大部分第一频率功率耦合到包括第一与第二电极但不包括延伸部分的通路，大部分第二频率功率耦合到包括第一电极和延伸部分但不包括第二电极的通路。改变加到第一电极的第一与第二频率的相对功率，可控制第一电极的DC偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 同时 响应 等离子体 处理器 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理器，其特征在于包括一真空室，所述真空室具有：(a)将气体耦合到该室的端口，(b)对室内气体加电场的第一电极，(c)与第一电极隔开的第二电极，第二电极处于一DC参考电位，室安排成使气体在包括电极之间容积的区域内被激发为等离子体；使第一电极对等离子体同时供给不同频率的电场的电路；该室包括一使不同频率的功率取完全不同的路径通过所述区域的结构。
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