[发明专利]Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的Ⅲ族元素氮化物透明单晶无效
| 申请号： | 03818328.5 | 申请日： | 2003-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1671892A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;大前邦途;岩桥友也;森下昌纪 | 申请（专利权）人： | 财团法人大阪产业振兴机构 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/205;H01L21/208 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够高收率制造透明、位错密度少、高品质、且大块状的III族元素氮化物的单晶的制造方法。该方法是在钠(Na)和选自碱金属(Na除外)和碱土金属之中的至少一种的混合助熔剂(Flux)中，使选自由镓(Ga)、铝(Al)及铟(In)组成的组中的至少一种III族元素与氮(N)反应，藉此使III族元素氮化物单晶得以生长。本发明的氮化镓单晶为高品质的、透明的大块状单晶，具有极高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 元素 氮化物 制造 方法 由此 透明 | ||
【主权项】：
1.一种III族元素氮化物单晶的制造方法，其是在钠(Na)与选自除Na以外的碱金属和碱土金属之中的至少一种的混合助熔剂中，使选自由镓(Ga)、铝(Al)及铟(In)组成的组中的至少一种III族元素与氮(N)反应，藉此使III族元素氮化物单晶得以生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人大阪产业振兴机构，未经财团法人大阪产业振兴机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03818328.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维纹理模板的制作方法
- 下一篇：吡唑并嘧啶酮类化合物及其应用
