[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法与存储元件装置有效
| 申请号： | 03817922.9 | 申请日： | 2003-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1813360A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | L·布罗伊尔;F·舒勒;G·坦佩 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明乃涉及一种非易失性存储元件以及其制造方法与存储元件装置，在该例子中，为了降低形成电压，一第一电极(1)乃会具有一场放大器结构(4)，以用于放大藉由在一转换材质(2)中的一第二电极(3)所产生的一电场(E)的场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储元件，其具有一转换材质(2)以及呈现于该转换材质(2)处的两导电电极(1，3)，其用于一电压的施加以及在该转换材质(2)中产生一电场(E)，而在一形成步骤后，至少两不同的导通型态(ON、OFF)会于该转换材质(2)之中占优势，且在该两型态之间，转换可以藉由施加预先决定的程序化电压(Vwrite，Verase)而重复地实现，其中，该等电极(1，3)的至少其一具有至少一场放大器结构(4)，以便放大在该转换材质(2)中的该电场(E)的一场强度。
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