[发明专利]形成和修正具有间隙缺陷的光刻版的方法

摘要

本发明涉及半导体器件，微电子器件，微机电器件，微射流器件，更一般而言，涉及包括一个修正缺陷的一个改进的光刻模版，一个制造改进的光刻模版的方法，一个修正在模版上存在缺陷的方法，以及一个使用改进的光刻模版制造半导体器件的方法。形成光刻模版(10)，含有一个凸雕结构(26)和在凸雕结构(26)中的一个修正的间隙缺陷(36)。光刻模版(10)用于制造一个半导体器件(40)，用于影响器件(40)中的图形，通过定位模版(10)靠近半导体器件(40)，在其上形成含有辐射敏感的材料，以及施加压力以导致辐射敏感材料流进模版上存在的凸雕结构中。然后通过模版加上辐射使得进一步固化辐射敏感材料部分，以及进一步定义在辐射敏感材料中的图形。然后去掉模版(10)以完成制造半导体器件(40)。

主权项

1.一种形成一个光刻模版的方法，包括步骤：提供一个光刻模版，它含有一个最上表面和一个形成在其中的凸雕结构以及至少一个在凸雕结构中的间隙缺陷；提供一个直接可成像氧化物材料，位于光刻模版的凸雕结构上和间隙缺陷的内部；成像该直接可成像氧化物材料，由此形成一个在间隙缺陷内部的成像氧化物层；以及从光刻模版的凸雕结构上去除任何多余的直接可成像氧化物材料。