[发明专利]铜膜沉积方法

摘要

本发明叙述一种在基材上形成铜膜的方法，利用循环沉积技术在基材上交替吸附一种含铜前驱物与还原气体来形成铜膜。在循环沉积制程的一或一个以上的沉积循环周期中，一或一个以上的含铜前驱物时程、还原气体时程以及非脉冲时程可能具有不同的数值。此铜膜形成方法适用于集成电路制程。在集成电路制程中，此铜膜可作为内联线金属层。

主权项

1.一种在基材上形成铜层的方法，其至少包括：(a)提供基材至制程室中；以及(b)利用循环沉积制程在基材上形成铜层，其中循环沉积制程至少包括复数个循环，且其中每个循环至少包括在制程室中通入惰性气流，以及调整该惰性气流，其以交替周期的方式分别将惰性气流暴露于含铜前驱物及还原气体中。