[发明专利]气体供给装置及处理系统无效
| 申请号: | 03817478.2 | 申请日: | 2003-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN1672247A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
| 发明(设计)人: | 河西繁;田中澄;齐藤哲也;山本纪彦;柳谷健一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/448 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有,为了对被处理体W实施预定处理,设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22;和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部,所述气体供给装置具备,从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56;安装于所述气体通路的上端部,且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58;开闭所述气体通路的开关阀60。 | ||
| 搜索关键词: | 气体 供给 装置 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种气体供给装置,为了对被处理体实施预定处理,将低蒸汽压的金属化合物材料所形成的预定的原料气体供给至处理装置,其特征在于,其具有:在所述处理装置延伸的气体通路;安装于所述气体通路的一端,内部收容有所述金属化合物材料的材料贮存槽;与所述材料贮存槽连接,用于向材料贮存槽内导入载体气体的第一载体气体供给装置,所述第一载体气体供给装置由设置于所述材料贮存槽底部的气体扩散室,和划分所述气体扩散室且具有多个气体喷射孔的气体喷射板构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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