[发明专利]具沟渠绝缘的半导体组件及其制造方法有效

申请号：	03817469.3	申请日：	2003-07-19
公开（公告）号：	CN1754256A	公开（公告）日：	2006-03-29
发明（设计）人：	F·舒勒;G·坦佩	申请（专利权）人：	因芬尼昂技术股份公司
主分类号：	H01L21/762	分类号：	H01L21/762;H01L21/763
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	张雪梅;梁永
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明乃与一具有沟渠绝缘的半导体组件及其制造方法有关，一沟渠绝缘乃(STI，TTI)具有包含一覆盖绝缘层(10，11)、一侧壁绝缘层(6)与一电传导填充层的一深绝缘沟渠，其乃电连接至位于该绝缘沟渠底部区域之半导体基板的一预定掺杂区域(1)。一沟渠接触(DTC)乃具有包含一侧壁绝缘层(6)与一电传导填充层(7)的一深接触沟渠，同样电连接至位于该接触沟渠底部区域之半导体基板(1，2，3)的一预定掺杂区域；而该沟渠接触(DTC)的使用乃增进了电屏蔽性质并减少所需面积。
搜索关键词：	沟渠绝缘半导体组件及其制造方法
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【主权项】：

1.一种具有沟渠绝缘的半导体组件，其用以定义一半导体基板(1，2，3)的有源区域，该沟渠绝缘(STI，TTI)具有包含一覆盖绝缘层(10，11)、一侧壁绝缘层(6)与一电传导填充层的一深绝缘沟渠，其乃电连接至位于该绝缘沟渠底部区域的所述半导体基板的一预定掺杂区域，其特征在于：一沟渠接触(DTC)，其具有一包含一侧壁绝缘层(6)与一电传导填充层(7)之深接触沟渠，其乃同样地电连接至位于该接触沟渠底部区域之半导体基板(1，2，3)的一预定掺杂区域。

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H 电学

H01 基本电气元件
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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