[发明专利]包括阻挡层/子层的发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 03817467.7 | 申请日： | 2003-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1672268A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | D·B·小斯拉特;B·E·威廉斯;P·S·安德鲁斯;J·A·埃德蒙德;S·T·艾伦;J·比哈拉塔恩 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 诸如发光二极管的半导体发光器件包括：衬底；在衬底上的外延区，其中包括诸如发光二极管区的光发射区；和外延区上的包括反射体层的多层导电叠层。阻挡层提供在反射体层上并且在反射体层的侧壁上延伸。多层导电叠层还可以包括在反射体层和外延层之间的欧姆层。阻挡层进一步在欧姆层的侧壁上延伸。阻挡层还可以延伸到多层导电叠层外部的外延区上。阻挡层可以被制造为一系列的交替的第一和第二子层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 阻挡 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：衬底；在衬底上的外延区，其中包括光发射区；位于外延区上的多层导电叠层，包括包含有反射体层侧壁的反射体层；和阻挡层，位于反射体层上，并且在反射体层的侧壁上延伸。
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