[发明专利]肖特基壁垒CMOS器件及其方法无效
| 申请号： | 03816343.8 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1669145A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | J·P·施奈德;J·M·拉森 | 申请（专利权）人： | 斯平内克半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/095 | 分类号： | H01L27/095;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种CMOS器件及其制造方法。本发明为CMOS器件和CMOS集成电路的范围内的源和/漏接触利用了肖特基壁垒接触，以消除对晕/阱注入，浅源/漏延伸的要求以控制短沟道效应，取消阱注入步骤和复杂的器件隔离步骤。另外，和现有技术相比，本发明消除了和CMOS器件运行相关的寄生双极型增益，减少了制造成本，严格了对器件性能参数的控制以及提供了优越的器件性能。在一个实施例中本发明用硅化物排除掩模工艺形成用于形成CMOS器件的互补PMOS和NMOS器件的双硅化物肖特基壁垒源和/漏的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 壁垒 cmos 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底上的CMOS器件，包括：至少一个具有P型沟道掺杂的肖特基壁垒NMOS器件；至少一个具有N型沟道掺杂的肖特基壁垒PMOS器件；和不通过欧姆接触点电接触的P型和N型沟道掺杂中的至少一种掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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