[发明专利]使用无定形碳层改善光栅制造的方法无效
| 申请号： | 03815818.3 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1666147A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | C·E·塔贝里;C·F·莱昂斯 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用无定形碳层(130)来改善光栅制造的方法包括：将包括一基板(110)、一吸收剂(120)、一输送层(130)、一抗反射涂层(140)、以及一光阻层(150)的叠层沉积；将该光阻层(150)图案化(45)；以及将该ARC层(140)以及该输送层(130)蚀刻(55，65)。该方法同样包括蚀刻(75)该吸收剂层(120)以及移除(85)该输送层(130)，该输送层(130)包括无定形碳。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 无定形碳 改善 光栅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用无定形碳层(130)来改善光栅的制造方法，该方法包含：沉积(15，25，35)包括一基板(110)、一吸收剂(120)、一输送层(130)、一抗反射涂层(140)以及一光阻层(150)的叠层；图案化(45)该光阻层(150)；蚀刻(55，65)该抗反射涂层(140)以及该输送层(130)；蚀刻(75)该吸收剂层(120)；以及移除(85)该输送层(130)，该输送层(130)包括无定形碳。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03815818.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
