[发明专利]使用硅化物接触制造半导体器件的方法

摘要

一种形成硅化物接触的方法，包括将一层形成于含硅的有源器件区域上，譬如源极、漏极与栅极区域。该层包含能够形成一种或者更多种金属硅化物的金属(例如，镍)，以及可溶于第一金属硅化物而不可溶于第二金属硅化物，或者较易溶于第一金属硅化物(例如，硅化镍)，较不易溶于第二金属硅化物(例如，二硅化镍)的物质(例如，若该金属为镍时，则该物质为锗、钛、铼、钽、氮、钒、铱、铬、锆)。该层可能经由气相沉积方法而形成，譬如物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发、激光蒸镀或者其它沉积方法。一种形成硅化物接触的方法，包括形成一金属层，随后注入该金属层，并且/或者置于具有譬如上述的物质的硅层以下。该物质可能在该金属层形成以前注入于硅层中。所形成的接触包括第一金属硅化物以及较易溶于第一金属硅化物而较不易溶于第二金属硅化物的物质。该接触可能是包括衬底、含硅的有源区域、以及配置于有源区域上的硅化物接触的半导体器件的一部分，其可能将该有源区域电耦合到譬如金属线的其它区域。

主权项

1.一种半导体制造方法，包含以下步骤：在半导体衬底上形成第一区域，该第一区域包含硅；在该第一区域上形成一层，该层包含金属，该金属能够形成一种或者更多种金属硅化物；将一物质注入于该层内；以及通过硅与该金属的反应，形成沉积于该第一区域上的硅化物。