[发明专利]聚硅氧烷薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 03814698.3 申请日: 2003-06-05
公开(公告)号: CN1662608A 公开(公告)日: 2005-08-31
发明(设计)人: 须藤通孝;D·E·凯特索里斯;栉引信男 申请(专利权)人: 陶氏康宁亚洲株式会社
主分类号: C08L83/04 分类号: C08L83/04;C08G77/42;C08J5/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 刘明海
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及由交联聚硅氧烷制备的薄膜,所述交联聚硅氧烷通过在铂型催化剂存在下使具有特定的化学结构并且在一个分子中包含至少两个不饱和脂族烃基的聚硅氧烷和具有至少两个直接连接至硅原子上的氢原子的有机硅化合物进行交联反应而获得。本发明所提供的薄膜具有优异的耐热性能,具有优异的可见光(波长)范围的光线渗透性,具有低双折射的特性,并且具有适用于实际应用的物理性能。通过在上述聚硅氧烷上形成无机物层,有可能将本发明的层压薄膜例如用作透明电极薄膜。
搜索关键词: 聚硅氧烷 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种由聚硅氧烷构成的聚硅氧烷薄膜,其中所述聚硅氧烷通过在铂催化剂存在下,使在一个分子中具有不饱和脂肪烃基并且由如下平均结构式(1)表示的聚硅氧烷与在每分子中有至少两个直接连接至硅原子上的氢原子的有机硅化合物交联而获得,(1)R1aSiO(4-a)/2,式中R1为C1-C10单价烃基,并且下标a为0<a<2范围内的正数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏康宁亚洲株式会社,未经陶氏康宁亚洲株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03814698.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top