[发明专利]聚硅氧烷薄膜及其制备方法无效
申请号: | 03814698.3 | 申请日: | 2003-06-05 |
公开(公告)号: | CN1662608A | 公开(公告)日: | 2005-08-31 |
发明(设计)人: | 须藤通孝;D·E·凯特索里斯;栉引信男 | 申请(专利权)人: | 陶氏康宁亚洲株式会社 |
主分类号: | C08L83/04 | 分类号: | C08L83/04;C08G77/42;C08J5/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 刘明海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及由交联聚硅氧烷制备的薄膜,所述交联聚硅氧烷通过在铂型催化剂存在下使具有特定的化学结构并且在一个分子中包含至少两个不饱和脂族烃基的聚硅氧烷和具有至少两个直接连接至硅原子上的氢原子的有机硅化合物进行交联反应而获得。本发明所提供的薄膜具有优异的耐热性能,具有优异的可见光(波长)范围的光线渗透性,具有低双折射的特性,并且具有适用于实际应用的物理性能。通过在上述聚硅氧烷上形成无机物层,有可能将本发明的层压薄膜例如用作透明电极薄膜。 | ||
搜索关键词: | 聚硅氧烷 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种由聚硅氧烷构成的聚硅氧烷薄膜,其中所述聚硅氧烷通过在铂催化剂存在下,使在一个分子中具有不饱和脂肪烃基并且由如下平均结构式(1)表示的聚硅氧烷与在每分子中有至少两个直接连接至硅原子上的氢原子的有机硅化合物交联而获得,(1)R1aSiO(4-a)/2,式中R1为C1-C10单价烃基,并且下标a为0<a<2范围内的正数。
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