[发明专利]用以屏蔽成比例的NAND相邻单元间的交叉耦合的深字线槽

摘要

一种NAND快速存储器结构，其具有字线或控制门以避免受到Yupin效应误差的影响且一般而言避免受到接受编程操作的晶体管的相邻串中电势发生显著电势变化的影响。每一列皆具有一个第一选择门105)、复数个浮动门(102)和一个第二选择门。所述浮动门是形成在浅槽隔离区域(104)之间，且字线(106)延伸穿过相邻串且在浮动门间延伸到浅槽隔离区域，从而保护浮动门不受相邻存储器单元中电势变化的影响。

主权项

1.一种从一基板形成的快速存储器装置，所述装置包括：具有NAND构造的相邻晶体管串，其包括一第一选择门、复数个浮动门和一第二选择门，所述复数浮动门形成在所述基板中的通道区域上且与所述通道区域分离，其中，同时对相邻的第一和第二串进行编程操作，且其中当编程所述第一串的选中单元时，通过延伸穿过相邻串并在所述第一和第二串的浮动门之间延伸到相邻串的通道区域间的浅槽隔离区域的字线，使所述第一串避免受到所述第二相邻串中的任何电势变化的影响，以保护一第一串的浮动门不受一第二相邻串的电势的影响。