[发明专利]在绝缘层上覆硅基板中的掺杂区域有效
| 申请号： | 03813552.3 | 申请日： | 2003-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1659710A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | D·J·维斯特斯;A·C·魏;M·B·福塞利尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一说明实施例中，一种方法包括：提供由主动层、埋藏绝缘层、和原基板所构成的SOI基板；在该主动层下方的原基板中形成掺杂质区域；在该掺杂质区域上方的区域中，于该SOI基板上方形成数个晶体管；以及施加电压至该掺杂质区域，以改变该数个晶体管中至少其中之一的临界电压。在另一说明实施例中，该方法包括：提供由至少一集成电路产品所构成的消费性产品，该集成电路产品则由数个设于SOI基板的主动层中的晶体管所构成，该SOI基板的主动层位于设在该SOI基板的原基板中的掺杂质区域上方，该掺杂质区域设于该主动层下方；感应该集成电路产品的活动量；以及施加某一强度和极性的电压至该掺杂质区域，该外加电压的强度和极性取决于该感应到的集成电路产品的活动量。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅基板 中的 掺杂 区域 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供SOI基板(30)，该SOI基板(30)系由主动层(30C)、埋藏绝缘层(30B)、和原基板(30A)所构成；在该主动层(30C)下方的原基板(30A)中形成掺杂质区域(34)；在该掺杂质区域(34)上方的区域中，于该SOI基板(30)上方形成数个晶体管(32)；以及形成接点(35)至该掺杂质区域(34)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
